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?芯片失效分析（華南檢測(cè)案例分析）

失效分析工作是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，需要多個(gè)學(xué)科之間的相互交叉。華南檢測(cè)公司擁有先進(jìn)的分析檢測(cè)設(shè)備、全面的材料分析方法和標(biāo)準(zhǔn)，以及經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。我們能夠綜合分析和評(píng)價(jià)材料表面成分、材料結(jié)構(gòu)和成分分析，產(chǎn)品清潔度和污染物分析，以及PCB/PCBA失效和芯片失效的原因和機(jī)理。同時(shí)，作為獨(dú)立的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，我們出具的報(bào)告客觀、科學(xué)、準(zhǔn)確和公正，無論是對(duì)委托方還是其他方而言，都是基于事實(shí)和分析測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析。

下面就是廣東省華南檢測(cè)技術(shù)有限公司如何進(jìn)行芯片失效分析流程和分析的案例。

一、芯片失效分析的步驟

1. 外觀檢查。

2. X-ray。

3.聲學(xué)掃描顯微鏡檢查。

4.I-V曲線測(cè)試。

5.化學(xué)解封裝后內(nèi)部視檢。

6.微光顯微鏡檢查。

二、芯片失效分析案例

1. 案例背景

收到客戶樣品2Pcs芯片，客戶描述1Pc為NG樣品，另1Pc為OK樣品，根據(jù)客戶要求進(jìn)行失效分析原因。

2.分析方法簡述

2.1 外觀檢查

  OK芯片外觀形貌

 NG芯片外觀形貌

說明：光學(xué)顯微鏡檢查顯示OK樣品正面、背面以及側(cè)面無其他明顯外觀異常。檢查顯示NG樣品正面、背面及側(cè)面均有助焊劑殘留及黑膠殘留。

 2.2 X-射線檢查

OK芯片X-Ray形貌

NG芯片X-Ray形貌

說明：X-射線檢查顯示OK樣品與NG樣品內(nèi)部形貌一致，內(nèi)部鍵合線不一致，無其他明顯內(nèi)部異常。

2.3聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

 OK芯片C-SAM形貌

NG芯片C-SAM形貌

說明：聲學(xué)掃描顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品芯片表面及引線框面均無明顯異常。

2.4 I-V曲線測(cè)試 

  OK  I-V曲線測(cè)試圖

NG  I-V曲線測(cè)試圖

說明： I-V測(cè)試曲線分析（電流500uA/電壓500mV），NG樣品測(cè)試曲線有VCC對(duì)GND存在差異，可能存在微漏電情況。

2.5 化學(xué)解封裝后內(nèi)部視檢

OK芯片化學(xué)解封裝后內(nèi)部形貌

 NG芯片化學(xué)解封裝后內(nèi)部形貌

說明：化學(xué)解封裝后光學(xué)顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品形貌一致，無其他異常特征。

2.6 微光顯微鏡檢測(cè)

NG樣品微光顯微鏡檢測(cè)形貌

說明:微光顯微鏡檢測(cè)（5V電壓、1mA電流）顯示NG樣品芯片GND對(duì)VCC間存在漏電異?，F(xiàn)象。

三、失效分析結(jié)論

對(duì)客戶提供的NG樣品芯片進(jìn)行外觀檢查，I-V測(cè)試曲線分析以及結(jié)合微光顯微鏡檢測(cè)結(jié)果，推測(cè)芯片失效的原因是芯片內(nèi)部輕微漏電，導(dǎo)致工作異常。

華南檢測(cè)基于材料科學(xué)工程和電子可靠性工程打造工業(yè)醫(yī)院服務(wù)模式，借助科學(xué)的檢測(cè)分析標(biāo)準(zhǔn)和方法、依托專業(yè)的工程技術(shù)人員和精密的儀器設(shè)備，幫助企業(yè)解決在產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、貿(mào)易等多環(huán)節(jié)遇到的各種與品質(zhì)相關(guān)的問題，工業(yè)CT 檢測(cè)、失效分析、材料分析檢測(cè)、芯片鑒定、DPA分析、芯片線路修改、晶圓微結(jié)構(gòu)分析、可靠性檢測(cè)、逆向工程、微納米測(cè)量等專業(yè)技術(shù)測(cè)服務(wù)，歡迎前來咨詢了解。

華南檢測(cè)失效分析：

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