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AES基本原理 俄歇電子能譜（AES）是一種利用俄歇效應(yīng)進(jìn)行成分分析的表面分析技術(shù)，通過檢測樣品表面逃逸出的俄歇電子的能量和數(shù)量，達(dá)到對樣品表面元素組成的定性和半定量分析。俄歇電子能譜是除XPS之外的另一種重要的表面成分分析方法，廣泛地應(yīng)用于化學(xué)和物理研究領(lǐng)域以及半導(dǎo)體、電子、冶金等生產(chǎn)行業(yè)。 |
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入射電子束和樣品原子作用，可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子而形成空穴。在外層電子會(huì)向內(nèi)層躍遷過程中會(huì)釋放出能量，這一能量將核外另一軌道的電子激發(fā)而形成自由電子的現(xiàn)象被稱為俄歇效應(yīng)。俄歇電子的能量具有元素特征性，利用這一特性可以對樣品組成進(jìn)行分析。 |
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AES設(shè)備介紹及工作模式
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| 儀器能力 獲得的信息：元素(Li~U) 采集深度：5-75? 空間分辨率：8nm 成分檢出限：0.1at% 深度剖析：具備 (Ar+ gun) 定量能力：半定量 |
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AES基本應(yīng)用
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材料表面微小污染物成分分析 （Micro contaminant analysis on solid surface)
材料表面微/納米級膜層成分及厚度表征 （μm/nm coating layer composition and thickness analysis)
器件微區(qū)域的成分表征 (Micro area composition characterization）
多層薄膜層深分布的表征 （Multi-layers depth profile analysis)
AES應(yīng)用示例
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相關(guān)產(chǎn)品：
